2003年に下野 健一が個人事業として創業し、2008年に下野機械技術を設立、2014年にNEDO（国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構）から燃料電池向け導電性DLC膜の開発を受託、2015年に京都市成長産業創造センターに移転をする。
真空を利用したドライコーティング、ドライエッチング装置を中心とした装置販売、R&D装置販売事業を展開しています。
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
|
半導体や液晶、太陽電池などの製造装置に利用される「ドライ」技術を中心に装置販売やR&D装置などの販売をおこなっております。真空中で生成したプラズマ、イオンを利用した成膜装置でDLC(Diamond Like Carbon)膜を形成、この薄膜は様々な分野で利用されることが想定されます。
アルミニウムにも「導電・高耐食性DLC膜」が成膜出来るDLC成膜装置を開発しています。
新たに開発したDLC成膜装置はイオン注入技術を利用しており、この装置で成膜した「導電・高耐食性DLC膜」は耐食性が高く低抵抗な特性をもつ膜として成膜できます。今まで困難だったアルミニウムにも「導電・高耐食性DLC膜」が成膜出来るようになり、密着性も非常に高く良質な膜が成膜できます。
誘導結合プラズマを用いることでプラズマ密度11乗台の高密度プラズマを生成可能。
電極は電極上部で生成されたプラズマからイオンを引き出すための引出し部と加速部から構成され、プラズマ中から直接イオンを引き出すことで高いイオンビーム電流密度が得られます。
電極幅は240mmあり、200mm幅の均一なシート状のイオンビームを引き出すことが可能です。
創業以来培ってきた真空技術を強みに、次世代、次々世代の半導体製造装置に搭載される様々なモジュールの開発を行っております。半導体分野で使用するスパッタリング装置、エッチング装置や液晶分野で使用する大面積の成膜装置などのR&Dをおこなっております。
DLCのSEM像
イオンビーム装置Grid・プラズマ放電
CVD装置プラズマ放電
| 所在地 〒612-8374 京都市伏見区治部町105番地 京都市成長産業創造センター306号室 URL：http://www.si-mechanical.com/ TEL：075-748-6317 FAX：075-748-6314 |
従業員数：3名 資本金：200万円 設立：2008年 代表者名：代表取締役 下野 健一 |
